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发明

一种片状全维度钙钛矿单晶及其制备方法和应用

2023-06-04 11:14:12 发布于四川 1
  • 申请专利号：CN202310100468.7
  • 公开（公告）日：2025-02-28
  • 公开（公告）号：CN116200801A
  • 申请人：复旦大学
摘要：本发明属于半导体光电子材料技术领域，具体为一种片状全维度钙钛矿单晶及其制备方法和应用。本发明方法包括：配制钙钛矿前驱体溶液并保温；将微量钙钛矿前驱体溶液滴到疏水基底上；在溶液‑空气界面处自组装，控制生长时间完成晶体生长；根据原料不同可制备全结构维度的钙钛矿单晶。本发明利用十八烷基三氯硅烷来提高液滴的表面张力，相对于平面液滴，曲面液滴促进低维结构乃至三维结构钙钛矿的各向异性生长。本发明克服了现有的低温生长单晶的横纵比低和无法用于平面光电器件的问题，制备工艺简单、效率高；获得的单晶具有高品质、高横纵比等特点，在室温下发射对称的荧光峰，具有优异光电性能；可广泛用于光电探测领域。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116200801 A (43)申请公布日 2023.06.02 (21)申请号 202310100468.7 (22)申请日 2023.02.12 (71)申请人 复旦大学 地址 200433 上海市杨浦区邯郸路220号 (72)发明人 李自清　洪恩柳　方晓生　苏莉　 (74)专利代理机构 上海正旦专利代理有限公司 31200 专利代理师 陆飞　陆尤 (51)Int.Cl. C30B 7/08 (2006.01) C30B 7/14 (2006.01) C30B 29/12 (2006.01) C30B 29/64 (2006.01) H10K 30/60 (2023.01) H10K 85/50 (2023.01) 权利要求书1页 说明书4页 附图3页 (54)发明名称 一种片状全维度钙钛矿单晶及其制备方法 和应用 (57)摘要 本发明属于半导体光电子材料技术领域，具 体为一种片状全维度钙钛矿单晶及其制备方法 和应用。本发明方法包括：配制钙钛矿前驱体溶 液并保温；将微量钙钛矿前驱体溶液滴到疏水基 底上；在溶液‑空气界面处自组装，控制生长时间 完成晶体生长；根据原料不同可制备全结构维度 的钙钛矿单晶。本发明利用十八烷基三氯硅烷来 提高液滴的表面张力，相对于平面液滴，曲面液 滴促进低维结构乃至三维结构钙钛矿的各向异 性生长。本发明克服了现有的低温生长单晶的横

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