一种阵列的MEMS压阻式触觉传感器封装设计方法2024

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117819471 A (43)申请公布日 2024.04.05 (21)申请号 202311844509.X (22)申请日 2023.12.29 (71)申请人 杭州电子科技大学 地址 310018 浙江省杭州市下沙高教园区2 号大街 (72)发明人 董林玺　王珊　刘超然　杨伟煌　 (74)专利代理机构 杭州奥创知识产权代理有限 公司 33272 专利代理师 王佳健 (51)Int.Cl. B81C 1/00 (2006.01) G01L 1/18 (2006.01) B81B 7/00 (2006.01) B81B 7/02 (2006.01) 权利要求书2页 说明书6页 附图4页 (54)发明名称 一种阵列的MEMS压阻式触觉传感器封装设 计方法 (57)摘要 本申请公开了一种阵列的MEMS压阻式触觉 传感器封装设计方法，包括以下步骤：在玻璃基 板上制造出与阵列的MEMS压阻式触觉传感器上 焊盘等大小、等间距的通孔，通孔填入导电金属 材料；将触觉传感器倒装在玻璃基板，实现触觉 传感器与玻璃基板下集成ASIC芯片电气通信。在 硅衬底上制备出力传递微结构盖帽、固定框架； 倒模出可产生变形的弹性结构；将力传递微结构 盖帽和固定框架接合在一起，完成上层盖板制 备；将上层盖板和MEMS压阻式触觉传感器对准键 合。实现外部作用力与MEMS压阻式触觉传感器之 A 间间接软接触，外部作用力通过力