一种碳化硅外延设备及外延生长方法2024

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117604642 A (43)申请公布日 2024.02.27 (21)申请号 202311587327.9 (22)申请日 2023.11.25 (71)申请人 芯三代半导体科技（苏州）股份有限 公司 地址 215000 江苏省苏州市中国(江苏) 自 由贸易试验区苏州片区苏州工业园区 苏慕路104号S栋 (72)发明人 张广辉　蒲勇　李达　卢勇　 布丛郝　徐玉田　 (74)专利代理机构 苏州智品专利代理事务所 (普通合伙) 32345 专利代理师 唐学青 (51)Int.Cl. C30B 29/36 (2006.01) C30B 25/14 (2006.01) 权利要求书2页 说明书6页 附图5页 (54)发明名称 一种碳化硅外延设备及外延生长方法 (57)摘要 本申请公开一种碳化硅外延设备及外延生 长方法。该外延设备包括有反应腔；喷淋组件，其 配置于所述反应腔的顶部侧，所述喷淋组件包括 沿其轴向配置的复数气孔，所述透气孔包括：复 数第一气孔、包裹所述第一气孔并位于其外侧的 第二气孔及吹扫气气孔，且所述吹扫气气孔位于 最外侧，所述吹扫气气孔的中心的组合呈圆形； 托盘组件，其配置于所述反应腔的底部侧并与所 述喷淋组件相对设置，托盘组件放置于支撑部件 上，所述支撑部件连接至旋转驱动部件，基于所 述旋转驱动部件的驱动带动支撑部件旋转，