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发明

一种极高间隙氧含量的白钨矿结构高熵氧离子导体材料及其制备方法2025

2023-12-02 07:19:33 发布于四川 1
  • 申请专利号：CN202311130833.5
  • 公开（公告）日：2025-05-02
  • 公开（公告）号：CN117125738A
  • 申请人：桂林理工大学
摘要：本发明公开了一种极高间隙氧含量的白钨矿结构高熵氧离子导体材料及其制备方法。（1）在称料之前，将镧系氧化物La2O3、Sm2O3、Nd2O3、Gd2O3在1000℃烧结12小时，将CaCO3置于180℃烘箱中干燥12小时，去除原料中的水和CO2。按设计的化学计量比进行称量。将称量好的原料放入研钵中，加入酒精充分研磨1小时以上，混合均匀后在红外灯下干燥得到样品粉末。由于MoO3容易挥发，需要在称量时过量10%来弥补烧结过程中造成的原料损失。（2）将粉末样品称量0.5g放入压片磨具内，在4Mpa压力压制30秒成片，放入坩埚中，在500℃下预烧12小时，再将样品研磨、压片，最后在950℃烧结保温12小时，获得目标产物。本发明制备的高熵氧离子导体材料制备过程简单，稳定性良好，导电性能良好。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117125738 A (43)申请公布日 2023.11.28 (21)申请号 202311130833.5 (22)申请日 2023.09.04 (71)申请人 桂林理工大学 地址 541004 广西壮族自治区桂林市七星 区建干路12号 (72)发明人 徐军古　宋兴平　 (51)Int.Cl. C01G 41/00 (2006.01) 权利要求书1页 说明书3页 附图3页 (54)发明名称 一种极高间隙氧含量的白钨矿结构高熵氧 离子导体材料及其制备方法 (57)摘要 本发明公开了一种极高间隙氧含量的白钨 矿结构高熵氧离子导体材料及其制备方法。（1） 在称料之前，将镧系氧化物La O 、Sm O 、Nd O 、 2 3 2 3 2 3 Gd O 在1000℃烧结12小时，将CaCO 置于180℃烘 2 3 3 箱中干燥12小时，去除原料中的水和CO 。按设计 2 的化学计量比进行称量。将称量好的原料放入研 钵中，加入酒精充分研磨1小时以上，混合均匀后 在红外灯下干燥得到样品粉末。由于MoO 容易挥 3 发，需要在称量时过量10%来弥补烧结过程中造 成的原料损失。（2）将粉末样品称量0.5g放入压 片磨具内，在4Mpa压力压制30秒成片，放入坩埚

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