使用水平磁场生产硅的系统及方法
- 申请专利号:CN202080086321.1
- 公开(公告)日:2025-03-11
- 公开(公告)号:CN114787429A
- 申请人:环球晶圆股份有限公司
专利内容
(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114787429 A (43)申请公布日 2022.07.22 (21)申请号 202080086321.1 卡瑞喜玛 ·玛莉 ·哈德森 (22)申请日 2020.12.10 (74)专利代理机构 北京律盟知识产权代理有限 责任公司 11287 (30)优先权数据 专利代理师 江葳 62/947,785 2019.12.13 US (51)Int.Cl. (85)PCT国际申请进入国家阶段日 C30B 15/10 (2006.01) 2022.06.13 C30B 15/30 (2006.01) (86)PCT国际申请的申请数据 C30B 29/06 (2006.01) PCT/US2020/064231 2020.12.10 C30B 30/04 (2006.01) (87)PCT国际申请的公布数据
最新专利
- 氮化铝晶体的扩径公开日期:2025-05-13公开号:CN114667371A申请号:CN202080069543.2氮化铝晶体的扩径
- 发布时间:2023-05-14 11:54:540
- 申请号:CN202080069543.2
- 公开号:CN114667371A
- 一种基于色胺离子的一维杂化钙钛矿单晶和压片、制备方法及在制备X射线成像板中的应用公开日期:2025-05-13公开号:CN116005246A申请号:CN202310000080.X一种基于色胺离子的一维杂化钙钛矿单晶和压片、制备方法及在制备X射线成像板中的应用
- 发布时间:2023-05-17 10:18:140
- 申请号:CN202310000080.X
- 公开号:CN116005246A
- GaN基板晶片及其制造方法公开日期:2025-05-13公开号:CN113906170A申请号:CN202080040339.8GaN基板晶片及其制造方法
- 发布时间:2023-04-22 08:55:390
- 申请号:CN202080040339.8
- 公开号:CN113906170A
- 一种基于密封双金属腔控制激光器晶体温度的洁净炉装置公开日期:2025-05-13公开号:CN115747972A申请号:CN202211502346.2一种基于密封双金属腔控制激光器晶体温度的洁净炉装置
- 发布时间:2023-06-07 22:13:460
- 申请号:CN202211502346.2
- 公开号:CN115747972A
- 一种快速生长双层石墨烯单晶的方法公开日期:2025-05-13公开号:CN115726033A申请号:CN202111011430.X一种快速生长双层石墨烯单晶的方法
- 发布时间:2023-06-09 07:18:170
- 申请号:CN202111011430.X
- 公开号:CN115726033A
- 一种取晶设备及取晶方法公开日期:2025-05-09公开号:CN117187965A申请号:CN202311165846.6一种取晶设备及取晶方法
- 发布时间:2023-12-17 07:15:560
- 申请号:CN202311165846.6
- 公开号:CN117187965A