PCT发明

使用水平磁场生产硅的系统及方法

2023-05-16 10:58:41 发布于四川 1
  • 申请专利号:CN202080086321.1
  • 公开(公告)日:2025-03-11
  • 公开(公告)号:CN114787429A
  • 申请人:环球晶圆股份有限公司
摘要:一种用于通过水平磁场柴可斯基方法生产硅碇的方法包含:旋转装纳硅熔融物的坩埚;将水平磁场施加到所述坩埚;使所述硅熔融物与晶种接触;及在旋转所述坩埚的同时从所述硅熔融物抽出所述晶种以形成硅碇。所述坩埚具有可湿表面及形成于其上的方石英层。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114787429 A (43)申请公布日 2022.07.22 (21)申请号 202080086321.1 卡瑞喜玛 ·玛莉 ·哈德森  (22)申请日 2020.12.10 (74)专利代理机构 北京律盟知识产权代理有限 责任公司 11287 (30)优先权数据 专利代理师 江葳 62/947,785 2019.12.13 US (51)Int.Cl. (85)PCT国际申请进入国家阶段日 C30B 15/10 (2006.01) 2022.06.13 C30B 15/30 (2006.01) (86)PCT国际申请的申请数据 C30B 29/06 (2006.01) PCT/US2020/064231 2020.12.10 C30B 30/04 (2006.01) (87)PCT国际申请的公布数据

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