一种微光机电系统制备方法

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114132891 A (43)申请公布日 2022.03.04 (21)申请号 202111479847.9 (22)申请日 2021.12.07 (71)申请人 华东光电集成器件研究所 地址 233030 安徽省蚌埠市经开区汤和路 2016号 (72)发明人 王鹏　王帆　张帅　包星晨　陈博　 (74)专利代理机构 安徽省蚌埠博源专利商标事 务所(普通合伙) 34113 代理人 杨晋弘 (51)Int.Cl. B81C 1/00 (2006.01) B81B 7/02 (2006.01) 权利要求书1页 说明书3页 附图4页 (54)发明名称 一种微光机电系统制备方法 (57)摘要 本发明涉及一种微光机电的制备方法，包括 以下步骤：在第一SOI硅片的顶层硅上形成图形 化的高反膜和顶层硅电极以及检测电极；图形化 的第二SOI硅片顶层硅与高反射薄膜共同形成可 动滤光结构，图形化的金属支撑柱下方与顶层硅 连接；将S3制备好的可动滤光结构层晶圆对准键 合于S2制备好的固定滤光结构层晶圆上方，可动 滤光结构中的金属支撑柱与固定滤光结构中的 金属支撑柱键合形成支撑柱；取两面抛光后的标 准晶圆作为盖帽层，在盖帽正面制备有金属Pad 点与垂直导电引线连接；本发明的有益效果是： 该制备方法兼容光学与MEMS制备工艺，可批量制 A 造，采用该方法制备得到的微光机电系统具有集 1 成度高、光学占空比大、静电驱动力大、易与