一种(100)硅上各向异性腐蚀凸角补偿方法

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116477564 A (43)申请公布日 2023.07.25 (21)申请号 202310363882.7 (22)申请日 2023.04.07 (71)申请人 北京大学 地址 100871 北京市海淀区颐和园路5号 (72)发明人 聂少校　孟凡瑞　高成臣　杨振川　 (74)专利代理机构 北京万象新悦知识产权代理 有限公司 11360 专利代理师 李稚婷 (51)Int.Cl. B81C 1/00 (2006.01) G06F 30/20 (2020.01) G16C 60/00 (2019.01) G06F 113/26 (2020.01) 权利要求书2页 说明书4页 附图5页 (54)发明名称 一种(100)硅上各向异性腐蚀凸角补偿方法 (57)摘要 本发明公开了一种(100)硅上各向异性腐蚀 凸角补偿方法，采用一种掩膜凸角补偿图形，该 补偿图形是自凸角顶点O向外延伸的OABCDE围成 的两侧对称的多边形，分两步进行腐蚀：第一步 利用含表面活性剂的TMAH腐蚀液以极低的凸角 腐蚀速率形成大部分深度，第二步利用纯TMAH溶 液高的{110}面腐蚀速率，把第一步形成的侧壁 消除，最后得到完整的凸台结构。本发明大幅降 低了(100)硅各向异性湿法腐蚀中凸角补偿图形 所需的面积，图形简单规整，易于设计，工艺流程 简便易操作。相关实验证明了该技术在小尺寸深 腐蚀凸台结构的加工中的可行性。 A 4 6