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发明

工艺角检测方法及系统、设备、存储介质

2023-06-23 07:19:01 发布于四川 0
  • 申请专利号：CN202010129523.1
  • 公开（公告）日：2025-05-20
  • 公开（公告）号：CN113327643A
  • 申请人：中芯国际集成电路制造（天津）有限公司|||中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
摘要：一种工艺角检测方法及系统、设备、存储介质，工艺角检测方法用于获取SRAM单元器件的最差工艺角，SRAM单元器件包括上拉晶体管、下拉晶体管和传输门晶体管，包括：获取多个SRAM单元器件的电性数据，且同一个SRAM单元器件中的上拉晶体管、下拉晶体管和传输门晶体管的电性数据构成一组第一数据组；利用多个第一数据组建立三维正态分布模型，三维正态分布模型的形状为椭球体；从所述第一数据组中提取与所述椭球体的表面位置处相对应的多组待测数据组；对多组待测数据组进行仿真，获得多个相对应的写噪声容限；提取多个写噪声容限中的最小值所对应的待测数据组，作为最差工艺角。本发明提高工艺角检测的精准度。

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113327643 A (43)申请公布日 2021.08.31 (21)申请号 202010129523.1 (22)申请日 2020.02.28 (71)申请人 中芯国际集成电路制造（天津）有限 公司 地址 300380 天津市西青区西青经济开发 区兴华道19号 申请人 中芯国际集成电路制造（上海）有限 公司 (72)发明人 方佳斌　王颖倩　张欢　 (74)专利代理机构 上海知锦知识产权代理事务 所(特殊普通合伙) 31327 代理人 高静 (51)Int.Cl. G11C 29/50(2006.01) 权利要求书2页 说明书13页 附图5页 (54)发明名称 工艺角检测方法及系统、设备、存储介质 (57)摘要 一种工艺角检测方法及系统、设备、存储介 质，工艺角检测方法用于获取SRAM单元器件的最 差工艺角，SRAM单元器件包括上拉晶体管、下拉 晶体管和传输门晶体管，包括：获取多个SRAM单 元器件的电性数据，且同一个SRAM单元器件中的 上拉晶体管、下拉晶体管和传输门晶体管的电性 数据构成一组第一数据组；利用多个第一数据组 建立三维正态分布模型，三维正态分布模型的形 状为椭球体；从所述第一数据组中提取与所述椭 球体的表面位置处相对应的多组待测数据组；对 多组待测数

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