一种基于MRAM缓存的混合型NVME SSD存储系统

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114822630 A (43)申请公布日 2022.07.29 (21)申请号 202210408167.6 (22)申请日 2022.04.19 (71)申请人 山东华芯半导体有限公司 地址 250101 山东省济南市高新区经十东 路汉峪金谷A2-3第16层1601室 (72)发明人 刘奇浩　沈力　李瑞东　 (74)专利代理机构 济南泉城专利商标事务所 37218 专利代理师 赵玉凤 (51)Int.Cl. G11C 11/401 (2006.01) G11C 29/42 (2006.01) 权利要求书2页 说明书4页 附图1页 (54)发明名称 一种基于MRAM缓存的混合型NVME SSD存储 系统 (57)摘要 本发明公开一种基于MRAM缓存的混合型 NVME SSD存储系统，包括SSD控制器、易失存储层 和非易失存储层，SSD控制器包括PCIe接口、NVME 命令解析器、FTL映射管理器、NAND控制器、MRAM 控制器和DRAM控制器，易失存储层包括外置 DRAM，非易存储层包括外置NAND和外置MRAM， PCIe接口、NVME命令解析器、FTL映射管理器依次 连接，NAND控制器、MRAM控制器和DRAM控制器均 与FTL映射管理器相连，外置DRAM与DRAM控制器 相连，外置NAND与NAND控制器相连，外置MRAM与 MRAM控制器相连。本发明可以提高NVME SSD控制 A 器随机性能及可靠性，保障数