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发明

存储器件及其操作方法

2023-06-14 12:21:54 发布于四川 2
  • 申请专利号：CN202011213293.3
  • 公开（公告）日：2025-06-13
  • 公开（公告）号：CN113053432A
  • 申请人：三星电子株式会社
摘要：一种存储器件，包括：存储器单元阵列，包括分别连接在串选择线与接地选择线之间的单元串；字线，连接到存储器单元；控制逻辑，生成提供给所述串选择线的第一电压和提供给所述接地选择线的第二电压，并且调整所述第一电压和所述第二电压的电压电平以控制所述单元串的沟道升压电平；以及行解码器，在所述控制逻辑的控制下将读电压、读通过电压、以及所述第一电压和所述第二电压提供给所述存储单元阵列。所述控制逻辑生成所述第一电压和所述第二电压中的一个作为预脉冲电压。所述行解码器将第三电压提供给所述字线中的至少一个。

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113053432 A (43)申请公布日 2021.06.29 (21)申请号 202011213293.3 (22)申请日 2020.11.03 (30)优先权数据 10-2019-0175689 2019.12.26 KR (71)申请人 三星电子株式会社 地址 韩国京畿道 (72)发明人 崔容赫　南尚完　 (74)专利代理机构 中科专利商标代理有限责任 公司 11021 代理人 纪雯 (51)Int.Cl. G11C 8/08 (2006.01) G11C 8/14 (2006.01) 权利要求书3页 说明书23页 附图27页 (54)发明名称 存储器件及其操作方法 (57)摘要 一种存储器件，包括：存储器单元阵列，包括 分别连接在串选择线与接地选择线之间的单元 串；字线，连接到存储器单元；控制逻辑，生成提 供给所述串选择线的第一电压和提供给所述接 地选择线的第二电压，并且调整所述第一电压和 所述第二电压的电压电平以控制所述单元串的 沟道升压电平；以及行解码器，在所述控制逻辑 的控制下将读电压、读通过电压、以及所述第一 电压和所述第二电压提供给所述存储单元阵列。 所述控制逻辑生成所述第一电压和所述第二电 压中的一个作为预脉冲电压。所述行解码器将第 三电压提供给所述字线中的至少一个。 A 2 3 4 3 5 0 3 1 1 N C CN 113053432 A

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