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光学邻近矫正模型构建方法、装置及计算机设备

2023-05-25 12:27:51 发布于四川 1
  • 申请专利号:CN202011137210.7
  • 公开(公告)日:2024-06-28
  • 公开(公告)号:CN112230507A
  • 申请人:泉芯集成电路制造(济南)有限公司
摘要:本申请提供一种光学邻近矫正模型构建方法、装置及计算机设备,涉及半导体制造技术领域。本申请通过对包括有待校验掩膜图案及对应的至少一种基础掩膜图案的待测掩膜板图案进行真实曝光试验及曝光模拟仿真,而后根据得到的基础掩膜图案的第一曝光图案尺寸信息、待校验掩膜图案的第二曝光图案轮廓信息,及待校验掩膜图案的仿真曝光图案轮廓信息,将待校验掩膜图案在真实曝光与光学仿真下分别对应的整体曝光轮廓状况结合到目标电路图案的光学邻近矫正模型构建过程中,使最终得到的模型直接具有较高的矫正预测精准度,无需反复调整待校验掩膜图案进行真实曝光试验来改善模型的矫正预测精准度,从而减少模型构建成本及模型构建时长。

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112230507 A (43)申请公布日 2021.01.15 (21)申请号 202011137210.7 (22)申请日 2020.10.22 (71)申请人 泉芯集成电路制造(济南)有限公司 地址 250000 山东省济南市高新区机场路 7617号411-2-9室 (72)发明人 陈庆煌 柯思羽 刘志成 王见明  (74)专利代理机构 北京超凡宏宇专利代理事务 所(特殊普通合伙) 11463 代理人 李莎 (51)Int.Cl. G03F 1/36 (2012.01) G03F 7/20 (2006.01) 权利要求书2页 说明书12页 附图4页 (54)发明名称 光学邻近矫正模型构建方法、装置及计算机 设备 (57)摘要 本申请提供一种光学邻近矫正模型构建方 法、装置及计算机设备,涉及半导体制造技术领 域。本申请通过对包括有待校验掩膜图案及对应 的至少一种基础掩膜图案的待测掩膜板图案进 行真实曝光试验及曝光模拟仿真,而后根据得到 的基础掩膜图案的第一曝光图案尺寸信息、待校 验掩膜图案的第二曝光图案轮廓信息,及待校验 掩膜图案的仿真曝光图案轮廓信息,将待校验掩 膜图案在真实曝光与光学仿真下分别对应的整 体曝光轮廓状况结合到目标电路图案的光学邻 近矫正模型构建过程中,使最终得到的模型直接 A 具有较高的矫正预测精准度,无需反复调整待校 7 验掩膜图案进行真实曝光试验来改善模型的矫 0 5

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