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PCT发明

用于改进叠加误差计量的感应位移2025

2024-02-15 07:28:56 发布于四川 0
  • 申请专利号：CN202180099693.2
  • 公开（公告）日：2025-05-13
  • 公开（公告）号：CN117546090A
  • 申请人：科磊股份有限公司
摘要：一种用于半导体计量的方法包含将第一薄膜层沉积在半导体衬底上并沉积上覆所述第一薄膜层的第二薄膜层。图案化所述第一薄膜层及所述第二薄膜层以定义多个叠加目标，所述多个叠加目标包括：第一目标特征，其形成于所述第一薄膜层中具有隔开第一标称距离的相应第一位置；及第二目标特征，其形成于所述第二薄膜层中具有隔开与所述第一标称距离不同的第二标称距离的相应第二位置。处理所述半导体衬底的图像以测量所述叠加目标中的每一者中的所述第一目标位置与所述第二目标位置之间的相应位移，且估计所述第一薄膜层与所述第二薄膜层的所述图案化之间的实际叠加误差及成像组合件的测量误差两者。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117546090 A (43)申请公布日 2024.02.09 (21)申请号 202180099693.2 (51)Int.Cl . G03F 7/20 (2006.01) (22)申请日 2021.10.21 (85)PCT国际申请进入国家阶段日 2023.12.21 (86)PCT国际申请的申请数据 PCT/US2021/055930 2021.10.21 (87)PCT国际申请的公布数据 WO2023/069095 EN 2023.04.27 (71)申请人 科磊股份有限公司 地址 美国加利福尼亚州 (72)发明人 M ·吉诺乌克　Y ·弗莱　 (74)专利代理机构 北京律盟知识产权代理有限 责任公司 11287 专利代理师 刘丽楠 权利要求书2页 说明书11页 附图7页 (54)发明名称 用于改进叠加误差计量的感应位移 (57)摘要 一种用于半导体计量的方法包含将第一薄 膜层沉积在半导体衬底上并沉积上覆所述第一 薄膜层的第二薄膜层。图案化所述第一薄膜层及 所述第二薄膜层以定义多个叠加目标，所述多个 叠加目标包括：第一目标特征，其形成于所述第 一薄膜层中具有隔开第一标称距离的相应第一 位置；及第二目标特征，其形成于所述第二薄膜 层中具有隔开与所述第一标称距离不同的第二

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