发明

一种温压一体传感器及其制作方法2024

2024-03-31 07:45:36 发布于四川 33
  • 申请专利号:CN202311873840.4
  • 公开(公告)日:2024-07-16
  • 公开(公告)号:CN117782223A
  • 申请人:中航捷锐(西安)光电技术有限公司
摘要:本发明涉及一种温压一体传感器及其制作方法,属于传感器技术领域,解决如何实时监测光纤陀螺内部压力变化的压力传感器的问题。方法包括:通过离子注入工艺在第一硅片中形成多个压阻条;利用刻蚀工艺在第二硅片中刻蚀四棱台形空腔;通过第一键合工艺将第一硅片与第二硅片键合以形成硅层结构,多个压阻条面对四棱台形空腔;利用喷砂打孔工艺在玻璃基底中形成基底通孔,并将铂电阻设置在玻璃基底的顶面上方;以及利用第二键合工艺将硅层结构与玻璃基底键合,铂电阻面对四棱台形空腔。压力和温度来自同一区域,能够高精度温度补偿压力传感器的快速温变。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117782223 A (43)申请公布日 2024.03.29 (21)申请号 202311873840.4 (22)申请日 2023.12.29 (71)申请人 中航捷锐(西安)光电技术有限公司 地址 710086 陕西省西安市沣东新城西周 大道3360号 (72)发明人 吴小宇 谢良平  (74)专利代理机构 北京天达知识产权代理事务 所有限公司 11386 专利代理师 牛洪瑜 (51)Int.Cl. G01D 21/02 (2006.01) G01D 11/00 (2006.01) G01C 19/72 (2006.01) G01C 25/00 (2006.01) 权利要求书2页 说明书7页 附图6页 (54)发明名称 一种温压一体传感器及其制作方法 (57)摘要 本发明涉及一种温压一体传感器及其制作 方法,属于传感器技术领域,解决如何实时监测 光纤陀螺内部压力变化的压力传感器的问题。方 法包括:通过离子注入工艺在第一硅片中形成多 个压阻条;利用刻蚀工艺在第二硅片中刻蚀四棱 台形空腔;通过第一键合工艺将第一硅片与第二 硅片键合以形成硅层结构,多个压阻条面对四棱 台形空腔;利用喷砂打孔工艺在玻璃基底中形成 基底通孔,并将铂电阻设置在玻璃基底的顶面上 方;以及利用第二键合工艺将硅层结构与玻璃基 底键合,铂电阻面对四棱台形空腔。压力和温度 来自同一区域,能够高精度温度补偿压力传感器 A

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