具有分布式列存取的高处理量DRAM

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112397108 A (43)申请公布日 2021.02.23 (21)申请号 202010558808.7 (22)申请日 2020.06.18 (30)优先权数据 16/543,778 2019.08.19 US (71)申请人 美光科技公司 地址 美国爱达荷州 (72)发明人 何源　 (74)专利代理机构 北京律盟知识产权代理有限 责任公司 11287 代理人 王龙 (51)Int.Cl. G11C 5/02(2006.01) G11C 11/4093(2006.01) G11C 11/4096(2006.01) 权利要求书3页 说明书23页 附图14页 (54)发明名称 具有分布式列存取的高处理量DRAM (57)摘要 本发明涉及一种具有分布式列存取的高处 理量DRAM。一种设备具有存储器裸片，所述存储 器裸片具有划分成多个数据片段的存储器单元 阵列。错调电路选择共同命令信号且设置列存取 信号以基于所述共同命令信号及/或个别命令信 号选择要存取的数据片段以对所选择的数据片 段执行对应于所选择的共同命令信号的存储器 操作。数据总线连接所述存储器单元阵列以形成 数据单元，其中每一数据单元包含来自每一存储 器单元阵列的数据片段且经配置使得所述数据 片段并联连接到所述数据总线并使用所述数据 总线的相同线。所述错调