发明

具有位错误率的动态程序擦除目标设定

2023-06-11 13:26:20 发布于四川 0
  • 申请专利号:CN202011502162.7
  • 公开(公告)日:2025-04-29
  • 公开(公告)号:CN112992235A
  • 申请人:美光科技公司
摘要:本申请案涉及具有位错误率的动态程序擦除目标设定。一种系统包含具有存储器单元的存储器阵列及耦合到其的处理装置。所述处理装置执行编程目标设定操作,所述编程目标设定操作包含:确定对应于所述存储器阵列的编程分布的一组差异错误计数;基于所述一组差异错误计数的比较,识别对应于所述编程分布的谷值裕度;基于所述谷值裕度的值,从规则集合中选择编程目标设定规则;基于所述编程目标设定规则,执行编程目标设定操作,以调整与所述存储器阵列的擦除分布相关联的电压电平;确定所述存储器阵列的位错误率BER;响应于所述BER满足BER控制值,将所述电压电平降低某一电压阶跃;以及响应于所述BER不满足所述BER控制值,将所述电压电平增大所述电压阶跃。

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112992235 A (43)申请公布日 2021.06.18 (21)申请号 202011502162.7 (22)申请日 2020.12.18 (30)优先权数据 16/719,745 2019.12.18 US (71)申请人 美光科技公司 地址 美国爱达荷州 (72)发明人 B ·A ·利卡宁 M ·舍佩雷克  L ·J ·考德莱  (74)专利代理机构 北京律盟知识产权代理有限 责任公司 11287 代理人 王龙 (51)Int.Cl. G11C 16/10 (2006.01) G11C 16/34 (2006.01) G11C 29/42 (2006.01) 权利要求书3页 说明书26页 附图12页 (54)发明名称 具有位错误率的动态程序擦除目标设定 (57)摘要 本申请案涉及具有位错误率的动态程序擦 除目标设定。一种系统包含具有存储器单元的存 储器阵列及耦合到其的处理装置。所述处理装置 执行编程目标设定操作,所述编程目标设定操作 包含:确定对应于所述存储器阵列的编程分布的 一组差异错误计数;基于所述一组差异错误计数 的比较,识别对应于所述编程分布的谷值裕度; 基于所述谷值裕度的值,从规则集合中选择编程 目标设定规则;基于所述编程目标设定规则,执 行编程目标设定操作,以调整与所述存储器阵列 的擦除分布相关联的电压电平;确定所述存储器

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