发明

一种存储器及神经形态芯片

2023-05-28 13:35:44 发布于四川 0
  • 申请专利号:CN202011211266.2
  • 公开(公告)日:2025-04-29
  • 公开(公告)号:CN112365910A
  • 申请人:北京灵汐科技有限公司
摘要:本发明实施例公开了一种存储器及神经形态芯片。该存储器包括:相连的非易失性存储单元和刷新电路;其中,所述刷新电路用于读取所述非易失性存储单元中的存储数据,并将所述存储数据写回所述非易失性存储单元。在非易失性存储单元面积固定的情况下,上述储存器增加了非易失性存储单元中存储数据的存储时长,达到了灵活调整数据存储时长的技术效果。

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112365910 A (43)申请公布日 2021.02.12 (21)申请号 202011211266.2 (22)申请日 2020.11.03 (71)申请人 北京灵汐科技有限公司 地址 100080 北京市海淀区北四环西路67 号8层801 (72)发明人 何伟 沈杨书 祝夭龙  (74)专利代理机构 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人 孟金喆 (51)Int.Cl. G11C 11/16 (2006.01) G06N 3/063 (2006.01) 权利要求书1页 说明书7页 附图5页 (54)发明名称 一种存储器及神经形态芯片 (57)摘要 本发明实施例公开了一种存储器及神经形 态芯片。该存储器包括:相连的非易失性存储单 元和刷新电路;其中,所述刷新电路用于读取所 述非易失性存储单元中的存储数据,并将所述存 储数据写回所述非易失性存储单元。在非易失性 存储单元面积固定的情况下,上述储存器增加了 非易失性存储单元中存储数据的存储时长,达到 了灵活调整数据存储时长的技术效果。 A 0 1 9 5 6 3 2 1 1 N C CN 112365910 A 权 利 要 求 书 1/1页 1.一种存储器,其特征在于,包括:相连的非易失性存储单元和刷新电路; 其中,所述刷新电路

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