用于防止Flash存储器误擦写的保护电路

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(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114664358 A (43)申请公布日 2022.06.24 (21)申请号 202210235477.2 (22)申请日 2022.03.11 (71)申请人 上海华力集成电路制造有限公司 地址 201203 上海市浦东新区良腾路6号 (72)发明人 洪亮　胡晓明　李向阳　 (74)专利代理机构 上海浦一知识产权代理有限 公司 31211 专利代理师 刘昌荣 (51)Int.Cl. G11C 16/22 (2006.01) 权利要求书2页 说明书5页 附图2页 (54)发明名称 用于防止Flash存储器误擦写的保护电路 (57)摘要 本发明提供一种用于防止Flash存储器误擦 写的保护电路，包括使能信号闸，用于接收使能 信号、高压使能信号和高压配置信号，并产生内 部使能信号以及内部高压配置信号；状态控制 器，用于接收内部使能信号，之后产生第一、二状 态信号；状态验证器，用于接收内部使能信号以 及第一、二状态信号，并判断第一、第二信号的电 平是否一致，若一致则发出高压状态信号；控制 信号解码器，用于接收使能信号、第二状态信号 和高压状态信号，控制解码器接收到高压状态信 号后，则向Flash存储器的内部模块发送使能状 态的高压控制信号。本发明的使能信号闸在芯片 A 未复位或受到干扰情况下减少受到的干扰程度； 8 避免对Flash内部的误擦写动作。 5 3 4 6 6 4 1 1 N C CN 114664358 A