半导体器件和控制半导体器件的方法

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112863558 A (43)申请公布日 2021.05.28 (21)申请号 202011252181.9 H01L 27/11529 (2017.01) (22)申请日 2020.11.11 (30)优先权数据 2019-204402 2019.11.12 JP (71)申请人 瑞萨电子株式会社 地址 日本东京都 (72)发明人 铃木润一　 (74)专利代理机构 北京市金杜律师事务所 11256 代理人 李辉 (51)Int.Cl. G11C 5/02 (2006.01) G11C 5/06 (2006.01) G11C 5/14 (2006.01) H01L 27/11524 (2017.01) 权利要求书3页 说明书12页 附图11页 (54)发明名称 半导体器件和控制半导体器件的方法 (57)摘要 根据本公开的各实施例涉及半导体器件和 控制半导体器件的方法。电连接至存储器单元的 开关电路的占用面积被减小，以减小半导体器件 的尺寸。根据一个实施例的半导体器件包括：半 导体衬底上的存储器单元；以及半导体芯片，电 连接至存储器单元的开关电路被形成在该半导 体芯片中，其中开关电路包括电连接至存储器单 元的第二晶体管，并且第二晶体管包括通过第三 栅极绝缘膜被形成在半导体衬底上的第二字栅 极和通过第四栅极绝缘膜被形成在半导体衬