发明

半导体存储装置

2023-06-04 11:11:33 发布于四川 3
  • 申请专利号:CN202211024699.6
  • 公开(公告)日:2025-11-11
  • 公开(公告)号:CN116206657A
  • 申请人:华邦电子股份有限公司
摘要:本发明提供一种可使因电源电压的瞬停或变动等而中断的写入自动复位的半导体存储装置。本发明的非易失性存储器包括形成有或非型阵列及电阻变化型阵列的存储单元阵列。在向或非型阵列的写入过程中电源电压下降到断电电平的情况下,读写控制部将未写入数据写入电阻变化型阵列中。之后,在检测到电源电压的通电时,读写控制部从电阻变化型阵列读取未写入数据,并将未写入数据写入或非型阵列中,由此使中断的写入复位。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116206657 A (43)申请公布日 2023.06.02 (21)申请号 202211024699.6 (22)申请日 2022.08.25 (30)优先权数据 2021-195124 2021.12.01 JP (71)申请人 华邦电子股份有限公司 地址 中国台湾台中市大雅区科雅一路8号 (72)发明人 矢野胜  (74)专利代理机构 北京同立钧成知识产权代理 有限公司 11205 专利代理师 独旭 臧建明 (51)Int.Cl. G11C 16/14 (2006.01) 权利要求书2页 说明书13页 附图11页 (54)发明名称 半导体存储装置 (57)摘要 本发明提供一种可使因电源电压的瞬停或 变动等而中断的写入自动复位的半导体存储装 置。本发明的非易失性存储器包括形成有或非型 阵列及电阻变化型阵列的存储单元阵列。在向或 非型阵列的写入过程中电源电压下降到断电电 平的情况下,读写控制部将未写入数据写入电阻 变化型阵列中。之后,在检测到电源电压的通电 时,读写控制部从电阻变化型阵列读取未写入数 据,并将未写入数据写入或非型阵列中,由此使 中断的写入复位。 A 7 5 6 6 0 2 6 1 1 N C CN 116206657 A 权 利 要 求 书 1/2页 1.一种半导体存储装置,包括:

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