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发明

用于存储器单元的方法及其电路结构2025

2023-10-11 07:13:49 发布于四川 3
  • 申请专利号：CN202310794944.X
  • 公开（公告）日：2025-11-07
  • 公开（公告）号：CN116844608A
  • 申请人：意法半导体股份有限公司|||意法半导体国际有限公司
摘要：本文公开了用于存储器单元的方法及其电路结构。根据本文中讨论的原理，提供EEPROM单元，并且然后在测试代码之后，使用完全相同的架构、晶体管、存储器单元和布局来将EEPROM单元转换成只读存储器(“ROM”)单元。这种转换是在完全相同的集成电路管芯上使用相同的布局、设计和定时来完成的，其中只需对存储器阵列中的上部层级掩模进行单次改变。在一个实施例中，掩模改变是将金属1连接到多晶硅的过孔掩模。这允许灵活地将编程代码存储为非易失性存储器代码，并且然后在由客户选择时在测试之后，来自可以写入只读代码的代码的一些或全部代码存储在由相同的晶体管组成并且具有相同的布局的ROM单元中。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116844608 A (43)申请公布日 2023.10.03 (21)申请号 202310794944.X G11C 16/10 (2006.01) G11C 17/12 (2006.01) (22)申请日 2018.12.28 G11C 17/18 (2006.01) (30)优先权数据 G11C 29/00 (2006.01) 15/908,575 2018.02.28 US H10B 20/00 (2023.01) (62)分案原申请数据 H10B 41/10 (2023.01) 201811622142.6 2018.12.28 H10B 41/60 (2023.01) (71)申请人 意法半导体股份有限公司 地址 意大利阿格拉布里安扎 申请人 意法半导体国际有限公司 (72)发明人 F ·德桑蒂斯　V ·拉纳　 (74)专利代理机构 北京市金杜律师事务所 11256 专利代理师 姚宗妮 (51)Int.Cl. G11C 16/04 (2006.01)

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