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PCT发明

量测方法、图案形成装置、设备和计算机程序

2023-06-16 07:15:44 发布于四川 1
  • 申请专利号：CN201980077503.X
  • 公开（公告）日：2024-08-09
  • 公开（公告）号：CN113196172A
  • 申请人：ASML荷兰有限公司
摘要：测量套刻的方法使用来自在衬底(W)上形成的一对子目标(1032，1034)上的位置(LOI)的多个非对称性测量。对于每个子目标，基于设计到子目标中的已知偏移变化，多个非对称性测量被拟合为非对称性与套刻之间的至少一个预期关系(1502，1504)。在一个示例中，通过变化顶部光栅和底部光栅的节距(P1/P2)，来提供连续的偏移变化。该对子目标之间的偏移变化相等并且相反(P2/P1)。套刻(OV)基于针对两个子目标的拟合关系之间的相对移动(xs)来被计算。将非对称性测量拟合为至少一个预期关系的步骤包括：完全或部分忽略偏离预期关系和/或落在拟合关系的特定段之外的测量(1506，1508，1510)。

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113196172 A (43)申请公布日 2021.07.30 (21)申请号 201980077503.X P ·C ·欣南　M ·博兹库尔特　 J ·J ·奥腾斯　K ·布哈塔查里亚　 (22)申请日 2019.10.07 M ·库比斯　 (30)优先权数据 (74)专利代理机构 北京市金杜律师事务所 18199182.9 2018.10.08 EP 11256 (85)PCT国际申请进入国家阶段日 代理人 董莘 2021.05.25 (51)Int.Cl. (86)PCT国际申请的申请数据 G03F 7/20 (2006.01) PCT/EP2019/077016 2019.10.07 (87)PCT国际申请的公布数据 WO2020/074412 EN 2020.04.16

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