具有非晶帽盖层的光刻掩模

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113253562 A (43)申请公布日 2021.08.13 (21)申请号 202010913267.5 (22)申请日 2020.09.03 (30)优先权数据 16/872,212 2020.05.11 US (71)申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 地址 中国台湾新竹市 (72)发明人 李信昌　许倍诚　钱志道　陈明威　 连大成　 (74)专利代理机构 北京东方亿思知识产权代理 有限责任公司 11258 代理人 陈蒙 (51)Int.Cl. G03F 1/24 (2012.01) 权利要求书1页 说明书12页 附图15页 (54)发明名称 具有非晶帽盖层的光刻掩模 (57)摘要 本公开涉及具有非晶帽盖层的光刻掩模。多 层反射结构被设置在衬底之上。非晶帽盖层被设 置在多层反射结构之上。非晶帽盖层可以包括 钌、氧、铌、氮、钽或锆。非晶层也可以被设置在多 层反射结构与非晶帽盖层之间。非晶层包括非晶 硅、非晶氧化硅或非晶氮化硅。 A 2 6 5 3 5 2 3 1 1 N C CN 113253562 A 权　利　要　求　书 1/1页 1.一种半导体器件，包括： 衬底； 多层反射结构，设置在所述衬底之上；以及 非晶帽盖层，设置在所述多层反射结构之上。 2