记忆体阵列及记忆体装置2023

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 219778526 U (45)授权公告日 2023.09.29 (21)申请号 202321205448.8 (22)申请日 2023.05.18 (30)优先权数据 17/833,907 2022.06.07 US (73)专利权人 台湾积体电路制造股份有限公司 地址 中国台湾新竹市新竹科学工业园区力 行六路八号 (72)发明人 李泓儒　张国彬　丁裕伟　陈庆恩　 黄国钦　 (74)专利代理机构 北京律诚同业知识产权代理 有限公司 11006 专利代理师 徐金国 (51)Int.Cl. G11C 5/02 (2006.01) G11C 5/06 (2006.01) 权利要求书2页 说明书10页 附图7页 (54)实用新型名称 记忆体阵列及记忆体装置 (57)摘要 在各种实施例中提供一种记忆体阵列及记 忆体装置。在那些实施例中 ，记忆体装置具有包 括多层椭圆临限值切换(OTS)材料的OTS选择器， 以实现用于OTS选择器的低漏电流及相对低的临 限值电压。多层可以具有至少一层低带隙OTS材 料及至少一层高带隙OTS材料。 U 6 2 5 8 7 7 9 1 2 N C CN 219778526 U 权　利　要　求　书 1/2页 1.一种记忆体装置