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发明

使用栅极诱生漏极泄漏生成的空穴预充电方案

2023-07-09 07:05:25 发布于四川 0
  • 申请专利号：CN202110276241.9
  • 公开（公告）日：2025-05-23
  • 公开（公告）号：CN113870935A
  • 申请人：闪迪技术公司
摘要：本发明题为“使用栅极诱生漏极泄漏生成的空穴预充电方案”。本文公开了一种存储器设备。该存储器设备包括：存储器串，该存储器串包括串联连接的第一选择晶体管、存储器单元晶体管和第二选择晶体管；位线，该位线连接至该第一选择晶体管的一个端部；源极线，该源极线连接至该第二选择晶体管的一个端部；第一选择线，该第一选择线连接至该第一选择晶体管的栅极；字线，该字线连接至该存储器单元晶体管的栅极；第二选择线，该第二选择线连接至该第二选择晶体管的栅极；和控制电路，该控制电路被配置为在编程操作之前执行预充电操作，该预充电操作包括：向连接至该第二选择晶体管的该栅极的该第二选择线施加电压，以引起来自该第二选择晶体管的栅极诱生漏极泄漏。

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113870935 A (43)申请公布日 2021.12.31 (21)申请号 202110276241.9 G11C 7/18 (2006.01) G11C 8/14 (2006.01) (22)申请日 2021.03.15 (30)优先权数据 16/916,186 2020.06.30 US (71)申请人 闪迪技术有限公司 地址 美国德克萨斯州 (72)发明人 S ·普森瑟玛丹　张艳丽　H ·曾　 张鹏　 (74)专利代理机构 北京纪凯知识产权代理有限 公司 11245 代理人 徐东升 (51)Int.Cl. G11C 16/34 (2006.01) G11C 16/12 (2006.01) G11C 16/04 (2006.01) 权利要求书2页 说明书16页 附图24页 (54)发明名称 使用栅极诱生漏极泄漏生成的空穴预充电 方案 (57)摘要 本发明题为“使用栅极诱生漏极泄漏生成的 空穴预充电方案”。本文公开了一种存储器设备。 该存储器设备包括：存储器串，该存储器串包括 串联连接的第一选择晶体管、存储器单元晶体管 和第二选择晶体管；位线，该位线连接至该第一 选择晶体管的一个端部；源极线，该源极线连接 至

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