磁阻式随机存取存储器

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114649016 A (43)申请公布日 2022.06.21 (21)申请号 202011492376.0 (22)申请日 2020.12.17 (71)申请人 联华电子股份有限公司 地址 中国台湾新竹市 (72)发明人 吴奕廷　黄正同　王荏滺　谢咏净　 杨伯钧　陈健中　李柏昌　 (74)专利代理机构 北京市柳沈律师事务所 11105 专利代理师 徐协成 (51)Int.Cl. G11C 11/16 (2006.01) 权利要求书4页 说明书5页 附图9页 (54)发明名称 磁阻式随机存取存储器 (57)摘要 本发明公开一种磁阻式随机存取存储器。该 磁阻式随机存取存储器中每一存储器单元包含 两非易失性存储单元、三个N型晶体管，和三个P 型晶体管。每一N型晶体管并联于相对应P型晶体 管。通过N型晶体管和P型晶体管的并联结构所组 成的传输门可在写入操作中提供双向电流以避 免产生源极退化。 A 6 1 0 9 4 6 4 1 1 N C CN 114649016 A 权　利　要　求　书 1/4页 1.一种磁阻式随机存取存储器，其包含： 第一位线； 第二位线；以及 第一存储器单元，其包含： 第一非易失性存储单元，其包含： 第一端，耦接在该第一位线；以及 第二端；