发明

半导体装置

2023-06-23 08:07:02 发布于四川 1
  • 申请专利号:CN202110012056.9
  • 公开(公告)日:2025-07-11
  • 公开(公告)号:CN113409836A
  • 申请人:爱思开海力士有限公司
摘要:公开了一种半导体装置,其涉及三维3D半导体存储器装置。半导体装置包括:第一连接图案;位线,其在垂直方向上设置在第一连接图案上方;以及位线接触焊盘,其设置于在位线和第一连接图案之间的第一层中,以将位线电联接至第一连接图案,使得位线接触焊盘在沿垂直方向观看时类似于岛状。

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113409836 A (43)申请公布日 2021.09.17 (21)申请号 202110012056.9 (22)申请日 2021.01.06 (30)优先权数据 10-2020-0032053 2020.03.16 KR (71)申请人 爱思开海力士有限公司 地址 韩国京畿道 (72)发明人 金东赫 吴星来 朴泰成 丁寿男  (74)专利代理机构 北京三友知识产权代理有限 公司 11127 代理人 刘久亮 黄纶伟 (51)Int.Cl. G11C 5/06 (2006.01) H01L 23/528 (2006.01) 权利要求书2页 说明书9页 附图8页 (54)发明名称 半导体装置 (57)摘要 公开了一种半导体装置,其涉及三维3D半导 体存储器装置。半导体装置包括:第一连接图案; 位线,其在垂直方向上设置在第一连接图案上 方;以及位线接触焊盘,其设置于在位线和第一 连接图案之间的第一层中,以将位线电联接至第 一连接图案,使得位线接触焊盘在沿垂直方向观 看时类似于岛状。 A 6 3 8 9 0 4 3 1 1 N C CN 113409836 A 权 利 要 求 书 1/2页 1.一种半导体装置,该半导体装置包括: 第一连接图案; 位线,所述位线在垂直方向上设置在所述第

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