反熔丝存储器及其控制方法

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116343874 A (43)申请公布日 2023.06.27 (21)申请号 202111602083.8 (22)申请日 2021.12.24 (71)申请人 长鑫存储技术有限公司 地址 230601 安徽省合肥市经济技术开发 区空港工业园兴业大道388号 (72)发明人 季汝敏　 (74)专利代理机构 上海晨皓知识产权代理事务 所(普通合伙) 31260 专利代理师 成丽杰 (51)Int.Cl. G11C 16/12 (2006.01) G11C 17/16 (2006.01) 权利要求书2页 说明书11页 附图7页 (54)发明名称 反熔丝存储器及其控制方法 (57)摘要 本公开实施例涉及半导体技术领域，提供一 种反熔丝存储器及其控制方法，反熔丝存储器被 配置为，基于行选通信号生成编程脉冲信号，反 熔丝存储阵列的字线接收行选通信号，反熔丝存 储器阵列应于编程脉冲信号进行编程。本公开实 施例至少有利于提高从反熔丝存储阵列读出数 据的准确性，以及提高反熔丝存储器的良品率。 A 4 7 8 3 4 3 6 1 1 N C CN 116343874 A 权　利　要　求　书 1/2页 1.一种反熔丝存储器，其特征在于，包括： 所述反熔丝存储器被配置为，基于行选通信号生成编程脉冲信号，反熔丝存储阵列