反熔丝读出电路、反熔丝存储器以及测试方法

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116343847 A (43)申请公布日 2023.06.27 (21)申请号 202111602087.6 (22)申请日 2021.12.24 (71)申请人 长鑫存储技术有限公司 地址 230601 安徽省合肥市经济技术开发 区空港工业园兴业大道388号 (72)发明人 季汝敏　 (74)专利代理机构 上海晨皓知识产权代理事务 所(普通合伙) 31260 专利代理师 成丽杰 (51)Int.Cl. G11C 7/10 (2006.01) G11C 16/26 (2006.01) 权利要求书2页 说明书11页 附图4页 (54)发明名称 反熔丝读出电路、反熔丝存储器以及测试方 法 (57)摘要 本公开实施例涉及半导体领域，特别涉及一 种反熔丝读出电路、反熔丝存储器以及测试方 法，反熔丝读出电路，包括 ：锁存模块，锁存模块 用于锁存从反熔丝存储阵列中读出的数据；传输 模块，传输模块与锁存模块的输出端连接，被配 置为，响应于读测试命令，将锁存模块中锁存的 数据传输至数据端口。本公开实施例有利于改善 对反熔丝可编程器件存储的数据进行测试时，测 试结果的真实性。 A 7 4 8 3 4 3 6 1 1 N C CN 116343847 A 权　利　要　求　书 1/2页 1.一种反熔丝读出电路，其