一种应用于MEMS磁阻传感器接口电路的带隙基准源2025

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117908624 A (43)申请公布日 2024.04.19 (21)申请号 202410110924.0 (22)申请日 2024.01.26 (71)申请人 梧州学院 地址 543002 广西壮族自治区梧州市富民 三路82号 (72)发明人 于健海　陈恩铭　彭瑶　王进　 侯梦迪　黄永前　 (74)专利代理机构 北京盛询知识产权代理有限 公司 11901 专利代理师 张永锋 (51)Int.Cl. G05F 1/567 (2006.01) 权利要求书2页 说明书5页 附图4页 (54)发明名称 一种应用于MEMS磁阻传感器接口电路的带 隙基准源 (57)摘要 本发明公开了一种应用于MEMS磁阻传感器 接口电路的带隙基准源，包括：启动电路模块、 PTAT电流产生电路模块、V曲线补偿结构模块、偏 置电路模块和运算放大器模块；所述启动电路模 块，用于与所述PTAT电流产生电路模块连接，提 供电流；所述PTAT电流产生电路模块，用于生成 带隙基准源中所需的PTAT电流的电路，并与所述 V型曲线补偿电路模块连接；所述V曲线补偿结构 模块，用于通过调整电流镜中相关晶体管的宽长 比尺寸进行温度补偿；所述偏置电路模块，用于 提供尾电流给所述运算放大器模块；所述运算放 A 大器模块，用于调整所述V曲线补偿结构模块和 4 所述偏置电路模块的输出端电压。本发明输出的 2 6 8 基准电压噪声小并且温度系数低。