一种大尺寸VGF法锗单晶生长装置及方法

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114318495 A (43)申请公布日 2022.04.12 (21)申请号 202111581919.0 (22)申请日 2021.12.22 (71)申请人 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 地址 650000 云南省昆明市高新技术开发 区新城高新技术产业基地B-5-5地块 申请人 云南鑫耀半导体材料有限公司　 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司 (72)发明人 韩家贤　韦华　何永彬　王顺金　 吕春富　李国芳　刘吉才　唐康中　 (74)专利代理机构 昆明祥和知识产权代理有限 公司 53114 代理人 刘敏 (51)Int.Cl. C30B 11/00 (2006.01) C30B 29/08 (2006.01) 权利要求书1页 说明书5页 附图4页 (54)发明名称 一种大尺寸VGF法锗单晶生长装置及方法 (57)摘要 本专利技术属于化合物半导体晶体生长领 域，具体公开一种大尺寸VGF法锗单晶生长装置 及方法，包括支撑系统和石英安瓿瓶，石英安瓿 瓶放置于支撑系统上，所述支撑系统包括外保温 层，所述外保温层距离顶部和底部一定距离的横 截面上设置有第一控温层和第二控温层，所述第 一控温层和第二控温层上分别设置有三个间隔 120゜阵列分布矩形孔，所述第一控温层上的矩形 孔和第二控温层上的6个矩形孔错位按间隔60゜ 阵列分布，第一控温层与外保温