一种拉制六英寸区熔硅单晶的方法及使用的热屏

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114574940 A (43)申请公布日 2022.06.03 (21)申请号 202210164175.0 (22)申请日 2022.02.23 (71)申请人 中国电子科技集团公司第四十六研 究所 地址 300220 天津市河西区洞庭路26号 (72)发明人 李明佳　李聪　张瀚文　冯旭　 郑万超　刘洪　张伟才　 (74)专利代理机构 天津中环专利商标代理有限 公司 12105 专利代理师 李美英 (51)Int.Cl. C30B 13/00 (2006.01) C30B 29/06 (2006.01) 权利要求书1页 说明书3页 附图1页 (54)发明名称 一种拉制六英寸区熔硅单晶的方法及使用 的热屏 (57)摘要 本发明涉及一种拉制六英寸区熔硅单晶的 方法及使用的热屏。在区熔单晶炉的中炉室内加 热线圈的下方40mm处设置热屏，热屏罩的上沿直 径为90mm，下沿直径为215mm，高度为40mm，冷凝 管路中冷却水的压力为3.2bar；当进行扩肩、转 肩、等径、收尾工序时，硅单晶随着下轴向下移 动，进入到热屏区域内，热屏罩反射的热量作用 在单晶的下部，避免温度梯度过大或过小而发生 单晶炸裂或回熔导致成晶失败。 A 0 4 9 4 7 5 4 1 1 N C CN 114574940 A 权　利　要　求　书