用于晶体硅铸锭的籽晶层结构与晶体硅锭的生产方法

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(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112391672 A (43)申请公布日 2021.02.23 (21)申请号 201910740930.3 (22)申请日 2019.08.12 (71)申请人 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 地址 215000 江苏省苏州市高新区鹿山路 199号 申请人 包头阿特斯阳光能源科技有限公司 (72)发明人 周硕　 (74)专利代理机构 苏州威世朋知识产权代理事 务所(普通合伙) 32235 代理人 胡彭年 (51)Int.Cl. C30B 11/02(2006.01) C30B 29/06(2006.01) 权利要求书2页 说明书5页 附图3页 (54)发明名称 用于晶体硅铸锭的籽晶层结构与晶体硅锭 的生产方法 (57)摘要 本发明提供了一种用于晶体硅铸锭的籽晶 层结构与晶体硅锭的生产方法，该籽晶层结构包 括若干籽晶组，每一籽晶组包括若干沿第一方向 依次排布的籽晶，所述籽晶具有顶面及沿周向首 尾依次相接的四个拼接面，所述籽晶组中两个相 邻籽晶间的接缝与另一相邻籽晶组中位置相对 应的两个相邻籽晶间的接缝呈错位设置。采用上 述籽晶层结构进行晶体硅锭的生产，相邻籽晶间 的接缝可在铸锭过程中形成稳定的三叉晶界，减 少位错增殖，降低缺陷密度。 A 2 7 6 1 9 3 2 1 1