存储器装置中的信号产生电路系统布局

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116645984 A (43)申请公布日 2023.08.25 (21)申请号 202310160976.4 (22)申请日 2023.02.21 (30)优先权数据 17/680,006 2022.02.24 US (71)申请人 美光科技公司 地址 美国爱达荷州 (72)发明人 D ·维梅尔卡蒂　 (74)专利代理机构 北京律盟知识产权代理有限 责任公司 11287 专利代理师 彭晓文 (51)Int.Cl. G11C 5/06 (2006.01) G11C 11/22 (2006.01) 权利要求书4页 说明书32页 附图10页 (54)发明名称 存储器装置中的信号产生电路系统布局 (57)摘要 本申请案涉及存储器装置中的信号产生电 路系统布局。存储器装置可包含相对于衬底定位 于存储器裸片的多个层级中的信号产生电路系 统。举例来说，用于产生存取信号的一组第一晶 体管可定位于存储器裸片的第一层级上，且用于 产生所述存取信号的一组第二晶体管可定位于 所述存储器裸片的第二层级上。所述一组第一晶 体管及所述一组第二晶体管的形成可涉及与在 相应层级上形成其它晶体管共同的处理操作，所 述其它晶体管例如单元选择晶体管、层面选择晶 体管、分流晶体管及所述相应层级的其它晶体 管。 A 4 8 9 5 4 6 6 1 1 N C CN 116645984 A 权　利　要