非易失性存储器设备的位线电压产生电路和对应的方法

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(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113257310 A (43)申请公布日 2021.08.13 (21)申请号 202110119728.6 (22)申请日 2021.01.28 (30)优先权数据 102020000001630 2020.01.28 IT (71)申请人 意法半导体股份有限公司 地址 意大利阿格拉布里安扎 (72)发明人 M ·F ·佩罗尼　 F ·E ·C ·迪塞格尼　M ·拉帕拉卡　 C ·托尔蒂　 (74)专利代理机构 北京市金杜律师事务所 11256 代理人 王茂华 (51)Int.Cl. G11C 13/00 (2006.01) 权利要求书3页 说明书9页 附图5页 (54)发明名称 非易失性存储器设备的位线电压产生电路 和对应的方法 (57)摘要 本公开的各实施例涉及非易失性存储器设 备的位线电压产生电路和对应的方法。一种实施 例电压产生电路，用于具有存储器阵列的存储 器，存储器阵列具有被耦合到相应的字线和局部 位线的多个存储器单元，每个存储器单元具有存 储元件和选择器元件，双极晶体管被耦合到存储 元件，用于在读取或验证操作期间单元电流的选 择性流动，以及选择器元件的基极端子被耦合到 相应的字线；与每个位线相关联的是具有控制端 子的偏置晶体管，并且该电路为该控制端子产生 共源共栅电压；驱动级被耦合到每个字线的一 A 端。该电路基于参考电压产生共源共栅电压，该 0 参考电压