一种物理气相传输法制备碳化硅晶体的方法及其制备装置2024

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 118087033 A (43)申请公布日 2024.05.28 (21)申请号 202410308723.1 (22)申请日 2024.03.18 (71)申请人 厦门福纳新材料科技有限公司 地址 361000 福建省厦门市火炬高新区创 业园新业楼5FC室 (72)发明人 雷斌　朱常锋　廖炳文　高鹏举　 李新德　梁业明　 (74)专利代理机构 厦门市精诚新创知识产权代 理有限公司 35218 专利代理师 李俊楠 (51)Int.Cl. C30B 25/00 (2006.01) C30B 29/36 (2006.01) 权利要求书2页 说明书6页 附图3页 (54)发明名称 一种物理气相传输法制备碳化硅晶体的方 法及其制备装置 (57)摘要 本发明涉及一种物理气相传输法制备碳化 硅晶体的方法及其制备装置，在碳源料仓内放置 碳源，在硅源料仓内放置硅源，在长晶室内安装 籽晶，加热碳源料仓使碳源升华产生气态单质 碳，将气态单质碳传输至硅源料仓内与硅源料仓 内的硅源反应生成碳化硅原料气，而后将碳化硅 原料气传输至长晶室进行长晶。本发明的制备方 法能够将充足的气态单质碳输送至硅源料仓，同 时还能及时将硅源料仓中生成的碳化硅原料气 传送至长晶室，硅源料仓中始终保持充足的硅 源，使得硅源料仓中的原料始终保持相同的碳化 A 程度，从而使硅源料仓和长晶室中的气相组分保 3 持均匀性，提高碳源和硅源的反