发明

一种键合晶体及其制备方法

2023-06-07 22:17:16 发布于四川 0
  • 申请专利号:CN202211577622.1
  • 公开(公告)日:2025-05-30
  • 公开(公告)号:CN115747970A
  • 申请人:安徽光智科技有限公司
摘要:本发明公开一种键合晶体及其制备方法,通过将需要键合的晶体端面抛光,清洗干净后固定在一起,将需要键合的端面升温融化,并进行缓慢降温,直至完成晶体生长,然后进行退火。本方法得到键合晶体的键合位置过渡均匀,热效应低,不易开裂,明显改善了激光效率。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115747970 A (43)申请公布日 2023.03.07 (21)申请号 202211577622.1 (22)申请日 2022.12.09 (71)申请人 安徽光智科技有限公司 地址 239064 安徽省滁州市琅琊经济开发 区南京路100号 (72)发明人 狄聚青 刘运连 薛帅 唐俊杰  (74)专利代理机构 北京天盾知识产权代理有限 公司 11421 专利代理师 唐静 (51)Int.Cl. C30B 33/06 (2006.01) H01S 3/06 (2006.01) C30B 33/02 (2006.01) C30B 29/30 (2006.01) C30B 29/28 (2006.01) 权利要求书1页 说明书3页 附图1页 (54)发明名称 一种键合晶体及其制备方法 (57)摘要 本发明公开一种键合晶体及其制备方法,通 过将需要键合的晶体端面抛光,清洗干净后固定 在一起,将需要键合的端面升温融化,并进行缓 慢降温,直至完成晶体生长,然后进行退火。本方 法得到键合晶体的键合位置过渡均匀,热效应 低,不易开裂,明显改善了激光效率。 A 0 7 9 7 4 7 5 1 1 N C CN 115747970 A 权 利 要 求 书 1/1页