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发明

一种拓扑半金属纳米结构TaAs纳米线及其制备方法2025

2023-11-05 07:18:10 发布于四川 6
  • 申请专利号：CN202310975885.6
  • 公开（公告）日：2025-05-16
  • 公开（公告）号：CN116970923A
  • 申请人：北京理工大学|||北京理工大学长三角研究院（嘉兴）
摘要：本发明涉及一种拓扑半金属纳米结构TaAs纳米线及其制备方法，属于纳米材料技术领域。按照TaCl5:As的质量比为1:1.5~3称取原料TaCl5和As，并间隔放置于样品舟中；将样品舟和镀金硅片放置于玻璃管中；将玻璃管放置于干燥的石英管中，密封，并通入氩气和氢气调节气压，然后将石英管放置于管式炉中，首先自室温升温至940~960℃，保温10~30min，然后降温至700±5℃，自然冷却，在石英管中得到所述TaAs纳米线。利用化学气相沉积方法将不可解理的Weyl半金属TaAs直接生长在硅片上，实现TaAs纳米线的合成。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116970923 A (43)申请公布日 2023.10.31 (21)申请号 202310975885.6 (22)申请日 2023.08.04 (71)申请人 北京理工大学 地址 100081 北京市海淀区中关村南大街5 号 申请人 北京理工大学长三角研究院 （嘉兴） (72)发明人 王秩伟　杨莹　赵林淼　黄丽静　 (74)专利代理机构 北京理工大学专利中心 11120 专利代理师 张洁 (51)Int.Cl. C23C 16/44 (2006.01) C23C 16/30 (2006.01) B82Y 30/00 (2011.01) B82Y 40/00 (2011.01) 权利要求书1页 说明书5页 附图6页 (54)发明名称 一种拓扑半金属纳米结构TaAs纳米线及其 制备方法 (57)摘要 本发明涉及一种拓扑半金属纳米结构TaAs 纳米线及其制备方法，属于纳米材料技术领域。 按照TaCl :As的质量比为1:1 .5 3称取原料 5 ~ TaCl 和As，并间隔放置于样品舟中；将样品舟和 5 镀金硅片放置于玻璃管中；将玻璃管放置于干燥 的石英管中，密封，并通入氩气和氢气调节气压， 然后将石英管放置于管式炉中，首先自室温升温 至940 960℃，保温10

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