一种基于CrOCl材料实现多态存储的方法

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(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114743577 A (43)申请公布日 2022.07.12 (21)申请号 202210324321.1 (22)申请日 2022.03.29 (71)申请人 北京大学 地址 100871 北京市海淀区颐和园路5号 (72)发明人 谷平凡　叶堉　 (74)专利代理机构 北京万象新悦知识产权代理 有限公司 11360 专利代理师 贾晓玲 (51)Int.Cl. G11C 11/16 (2006.01) H01L 43/08 (2006.01) H01L 43/10 (2006.01) H01L 43/12 (2006.01) 权利要求书1页 说明书3页 附图3页 (54)发明名称 一种基于CrOCl材料实现多态存储的方法 (57)摘要 本发明公开了一种基于CrOCl材料实现多态 存储的方法。利用二维反铁磁绝缘体CrOCl中的 磁电耦合效应，通过对隧穿结施加电压脉冲来调 控CrOCl磁相变过程中的亚稳态，从而实现使隧 穿结的阻态可控地在一定范围内任意切换。本发 明通过改变电压扫描的速度和幅值来决定隧穿 结的阻态，并可以通过扫描磁场来擦除隧穿结中 存储的信息，在单个器件中可实现一位十进制数 据的存储，具有超小体积、超高性能的优点，有大 规模应用的潜力。 A 7 7 5 3 4 7 4 1 1 N C CN 114743577 A 权　利　要　求　书