一种用于存储芯片的写入深度测试系统及其方法

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112599184 A (43)申请公布日 2021.04.02 (21)申请号 202011504611.1 (22)申请日 2020.12.18 (71)申请人 普冉半导体（上海）股份有限公司 地址 201210 上海市浦东新区自由贸易试 验区盛夏路560号504室 (72)发明人 刘松强　钱杨　朱庆芳　 (74)专利代理机构 上海元好知识产权代理有限 公司 31323 代理人 张妍　贾慧琴 (51)Int.Cl. G11C 29/56 (2006.01) 权利要求书2页 说明书4页 附图1页 (54)发明名称 一种用于存储芯片的写入深度测试系统及 其方法 (57)摘要 本发明公开了一种用于存储芯片的写入深 度测试系统，包括：调压电路，输入端与主控芯片 的第一输出端连接，其第一输出端与电平转换芯 片的第一输入端连接，其第二输出端与待测的存 储芯片的第一输入端连接；电平转换芯片的第二 输入端与主控芯片的第二输出端连接，其第一输 出端与存储芯片的第二输入端连接，其第三输入 端与存储芯片的输出端连接；数字模拟转换器， 输入端与主控芯片的第三输出端连接，其输出端 与存储芯片的第三输入端连接。此发明解决了传 统ATE无法脱机操作且便捷性差的问题，采用双 A 电源和高精度DAC，实现了脱机状态下的VT板级 4 测试，降低了测试成本，便捷了测试操作，满足了 8 1 9 多种应用场合的灵活运用。 9 5 2 1 1