发明

用于ZQ校准的设备及方法

2023-06-11 12:28:44 发布于四川 0
  • 申请专利号:CN202011136628.6
  • 公开(公告)日:2025-05-09
  • 公开(公告)号:CN112908398A
  • 申请人:美光科技公司
摘要:本发明涉及用于ZQ校准的设备及方法。在实例半导体装置中,所述半导体装置的电压/温度条件及ZQ校准的多个例子的相关联校准代码经预存储于寄存器阵列中。当经预存储电压/温度条件再次出现时,不执行ZQ校准。代替地,从所述寄存器阵列检索所述相关联经预存储校准代码及将其提供到IO电路。当所述半导体装置的电压/温度条件不匹配所述寄存器阵列中的任何经预存储电压/温度条件时,执行ZQ校准。当所述ZQ校准被执行时,根据更新策略选择所述寄存器阵列中的寄存器且通过由所述ZQ校准最新提供的所述校准代码连同所述ZQ校准被执行时的所述电压/温度条件一起更新所述寄存器。

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112908398 A (43)申请公布日 2021.06.04 (21)申请号 202011136628.6 (22)申请日 2020.10.22 (30)优先权数据 16/688,870 2019.11.19 US (71)申请人 美光科技公司 地址 美国爱达荷州 (72)发明人 何源 佐藤康夫  (74)专利代理机构 北京律盟知识产权代理有限 责任公司 11287 代理人 王龙 (51)Int.Cl. G11C 29/02 (2006.01) G11C 29/50 (2006.01) 权利要求书3页 说明书14页 附图9页 (54)发明名称 用于ZQ校准的设备及方法 (57)摘要 本发明涉及用于ZQ校准的设备及方法。在实 例半导体装置中,所述半导体装置的电压/温度 条件及ZQ校准的多个例子的相关联校准代码经 预存储于寄存器阵列中。当经预存储电压/温度 条件再次出现时,不执行ZQ校准。代替地,从所述 寄存器阵列检索所述相关联经预存储校准代码 及将其提供到IO电路。当所述半导体装置的电 压/温度条件不匹配所述寄存器阵列中的任何经 预存储电压/温度条件时,执行ZQ校准。当所述ZQ 校准被执行时,根据更新策略选择所述寄存器阵 列中的寄存器且通过由所述ZQ校准最新提供的 所述校准代码连同所述ZQ校准被执行时的所述 A 电压/温度条件一起更新所述寄存器。 8 9 3 8 0 9 2 1 1

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