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一种谐振器的制作方法及谐振器

2023-07-09 07:08:42 发布于四川 0
  • 申请专利号:CN202111152610.X
  • 公开(公告)日:2025-04-01
  • 公开(公告)号:CN113872558A
  • 申请人:苏州汉天下电子有限公司
摘要:本发明实施例公开了一种谐振器的制作方法及谐振器。方法包括:基底的第一表面设置有第一凹槽;在基底的第一表面形成第一下电极;第一下电极包括开口,开口的深度等于第一下电极的厚度,开口在基底的垂直投影与第一凹槽不交叠;形成第二下电极,第二下电极的第一部分在基底的垂直投影与开口在基底的垂直投影重合;形成第二牺牲层,第二牺牲仅覆盖第一部分,且第二牺牲层的厚度等于开口的深度;在第二牺牲层远离基底的一侧依次形成压电层和上电极层;对第一牺牲层和第二牺牲层进行处理,形成位于第一部分和压电层之间的空气桥,以及位于基底和下电极之间的空腔。本发明实施例可以实现空气桥的厚度可控,降低谐振器的制作工艺难度。

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113872558 A (43)申请公布日 2021.12.31 (21)申请号 202111152610.X (22)申请日 2021.09.29 (71)申请人 苏州汉天下电子有限公司 地址 215000 江苏省苏州市苏州工业园区 金鸡湖大道99号苏州纳米城东北区39 幢 (72)发明人 王友良 杨清华  (74)专利代理机构 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人 赵迎迎 (51)Int.Cl. H03H 9/02 (2006.01) H03H 3/02 (2006.01) 权利要求书3页 说明书9页 附图6页 (54)发明名称 一种谐振器的制作方法及谐振器 (57)摘要 本发明实施例公开了一种谐振器的制作方 法及谐振器。方法包括:基底的第一表面设置有 第一凹槽;在基底的第一表面形成第一下电极; 第一下电极包括开口,开口的深度等于第一下电 极的厚度,开口在基底的垂直投影与第一凹槽不 交叠;形成第二下电极,第二下电极的第一部分 在基底的垂直投影与开口在基底的垂直投影重 合;形成第二牺牲层,第二牺牲仅覆盖第一部分, 且第二牺牲层的厚度等于开口的深度;在第二牺 牲层远离基底的一侧依次形成压电层和上电极 层;对第一牺牲层和第二牺牲层进行处理,形成 位于第一部分和压电层之间的空气桥,以及位于 A 基底和下电极之间的空腔。本发明实施例可以实 8 现空气桥的厚度可控,降低谐振器的

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