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发明

一种高质量的错配层化合物的制备方法

2023-06-07 23:08:47 发布于四川 2
  • 申请专利号：CN202211657123.3
  • 公开（公告）日：2024-08-13
  • 公开（公告）号：CN115787078A
  • 申请人：电子科技大学
摘要：本发明的目的在于提供一种高质量的错配层化合物(SnS)1.17NbS2的制备方法，属于二维材料制备技术领域。该方法以碘作为输运剂，并对材料生长环境进行特殊性设计，创新设计了“套娃”生长空间形式，能够增大整个生长环境的比热容并有效减小生长过程中的温度波动，从而使错配层化合物(SnS)1.17NbS2的生长更稳定，制备得到的材料质量更高。本发明生长出的错配层化合物(SnS)1.17NbS2单晶外观上呈现层状结构，层堆积结构清晰，组分均匀，性能优异，可作为高质量的超导材料应用于电力输运、光学探测、精密仪表制备等领域。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115787078 A (43)申请公布日 2023.03.14 (21)申请号 202211657123.3 (22)申请日 2022.12.22 (71)申请人 电子科技大学 地址 611731 四川省成都市高新区（西区） 西源大道2006号 (72)发明人 熊杰　吴宇航　黄建文　李鹏　 邱东　饶高峰　杨超　 (74)专利代理机构 电子科技大学专利中心 51203 专利代理师 曾磊 (51)Int.Cl. C30B 25/00 (2006.01) C30B 29/46 (2006.01) 权利要求书1页 说明书5页 附图5页 (54)发明名称 一种高质量的错配层化合物的制备方法 (57)摘要 本发明的目的在于提供一种高质量的错配 层化合物(SnS) NbS 的制备方法，属于二维材 1.17 2 料制备技术领域。该方法以碘作为输运剂，并对 材料生长环境进行特殊性设计，创新设计了“套 娃”生长空间形式，能够增大整个生长环境的比 热容并有效减小生长过程中的温度波动，从而使 错配层化合物(SnS) NbS 的生长更稳定，制备 1.17 2 得到的材料质量更高。本发明生长出的错配层化 合物(SnS) NbS 单晶外观上呈现层状结构，层 1.17 2 堆积结构清晰，组分均匀，性能优异，可作为高质 量的

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