发明

一种嵌层触发多图形化纳米球光刻方法

2023-05-19 11:23:54 发布于四川 1
  • 申请专利号:CN202210506255.X
  • 公开(公告)日:2025-07-29
  • 公开(公告)号:CN114895525A
  • 申请人:中国科学院重庆绿色智能技术研究院
摘要:本发明提供了一种嵌层触发多图形化纳米球光刻方法,通过在纳米球光刻中的纳米球和晶圆之间插入相同材料的嵌层,使RIE刻蚀过程同时具有各向同性和各向异性刻蚀的作用,因而在纳米球和嵌层的共同作用下可通过一步刻蚀形成各种结构,包括nano plate、nanomushroom、nano pillar、nano needle等。此外,单个结构单元的尺寸、周期和深宽比可以通过刻蚀条件和相对尺寸进行精确调控。开创了在光刻技术中,制备具有二级结构、且其顶层结构尺寸大于底层结构尺寸的先例。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114895525 A (43)申请公布日 2022.08.12 (21)申请号 202210506255.X (22)申请日 2022.05.10 (71)申请人 中国科学院重庆绿色智能技术研究 院 地址 400714 重庆市北碚区方正大道266号 (72)发明人 张炜 常林  (74)专利代理机构 北京同恒源知识产权代理有 限公司 11275 专利代理师 廖曦 (51)Int.Cl. G03F 7/00 (2006.01) G03F 1/00 (2012.01) H01J 37/32 (2006.01) B82Y 30/00 (2011.01) B82Y 40/00 (2011.01) 权利要求书1页 说明书12页 附图7页 (54)发明名称 一种嵌层触发多图形化纳米球光刻方法 (57)摘要 本发明提供了一种嵌层触发多图形化纳米 球光刻方法,通过在纳米球光刻中的纳米球和晶 圆之间插入相同材料的嵌层,使RIE刻蚀过程同 时具有各向同性和各向异性刻蚀的作用,因而在 纳米球和嵌层的共同作用下可通过一步刻蚀形 成各种结构,包括nano plate、nanomushroom、 nano pillar、nano needle等。此外,单个结构单 元的尺寸、周期和深宽比可以通过刻蚀条件和相 对尺寸进行精确调控。开创了在光刻技术中,制 备具有二级结构、且其顶层结构尺寸大于底层结

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