自支撑大面积六方氮化硼单晶及其制备方法

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116145230 A (43)申请公布日 2023.05.23 (21)申请号 202310185380.X (22)申请日 2023.03.01 (71)申请人 吉林大学 地址 130012 吉林省长春市前进大街2699 号 (72)发明人 高伟　邰家劲　殷红　 (74)专利代理机构 长春市恒誉专利代理事务所 (普通合伙) 22212 专利代理师 李荣武 (51)Int.Cl. C30B 9/10 (2006.01) C30B 29/38 (2006.01) 权利要求书1页 说明书5页 附图6页 (54)发明名称 自支撑大面积六方氮化硼单晶及其制备方 法 (57)摘要 自支撑大面积六方氮化硼单晶及其制备方 法，属于单晶材料制备和半导体探测器领域。所 述制备方法具体步骤包括 ：机械合金化制备硼 源；高温熔融；偏析合成六方氮化硼；化学腐蚀剥 离得到自支撑大面积六方氮化硼单晶。该方法通 过预制硼源，以及在高温实验过程中将保护气体 和反应气体分段通入，实现大面积六方氮化硼单 晶的制备。目前对于六方氮化硼研究以及应用的 过程中最主要的问题就是单晶尺寸不够大，质量 不够高，无法实现商用，而该方法可以获得横向 尺寸高达几厘米的六方氮化硼单晶，对于将来在 A 六方氮化硼上进行商业应用具有重大意义，同时 0 也对其他半导体材料或二维材料的合成、研究以 3 2 5 及应用也有一定的启发。 4 1 6 1 1