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发明

具有页缓冲器的存储器设备

2023-05-17 11:52:52 发布于四川 0
  • 申请专利号：CN202110958451.6
  • 公开（公告）日：2025-07-29
  • 公开（公告）号：CN114822659A
  • 申请人：爱思开海力士有限公司
摘要：本文中提供的可以是一种具有页缓冲器的存储器设备。存储器设备可以包括被配置成存储数据的存储器单元，并且可以包括页缓冲器，页缓冲器通过位线耦合到存储器单元，并且被配置成：存储要在编程操作中被使用的数据；并且在编程操作中执行的编程验证操作期间，依赖于该数据，将位线预充电到第一预充电电压或第二预充电电压，第二预充电电压低于第一预充电电压。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114822659 A (43)申请公布日 2022.07.29 (21)申请号 202110958451.6 G11C 5/14 (2006.01) G06F 12/0882 (2016.01) (22)申请日 2021.08.20 G06F 3/06 (2006.01) (30)优先权数据 10-2021-0008773 2021.01.21 KR (71)申请人 爱思开海力士有限公司 地址 韩国京畿道 (72)发明人 蔡洙悦　 (74)专利代理机构 北京市金杜律师事务所 11256 专利代理师 李春辉 (51)Int.Cl. G11C 16/34 (2006.01) G11C 16/16 (2006.01) G11C 8/14 (2006.01) G11C 7/18 (2006.01) 权利要求书3页 说明书14页 附图17页 (54)发明名称 具有页缓冲器的存储器设备 (57)摘要 本文中提供的可以是一种具有页缓冲器的 存储器设备。存储器设备可以包括被配置成存储 数据的存储器单元，并且可以包括页缓冲器，页 缓冲器通过位线耦合到存储器单元，并且被配置 成：存储要在编程操作中被使用的数据；并且在 编程操

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