1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 专利分类
  4. 化学/冶金
发明

SiC基板和SiC单晶的制造方法

2023-06-14 12:10:55 发布于四川 1
  • 申请专利号：CN202011414844.2
  • 公开（公告）日：2025-01-10
  • 公开（公告）号：CN113026104A
  • 申请人：株式会社力森诺科
摘要：本发明的SiC基板，含有3×1014cm‑3以上且1×1015cm‑3以下的钽或铌、以及1×1016cm‑3以上且1×1020cm‑3以下的氮。

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113026104 A (43)申请公布日 2021.06.25 (21)申请号 202011414844.2 (22)申请日 2020.12.07 (30)优先权数据 2019-222344 2019.12.09 JP (71)申请人 昭和电工株式会社 地址 日本东京都 (72)发明人 松濑朗浩　 (74)专利代理机构 北京市中咨律师事务所 11247 代理人 王潇悦　段承恩 (51)Int.Cl. C30B 29/36 (2006.01) C30B 23/00 (2006.01) H01L 29/06 (2006.01) H01L 29/16 (2006.01) 权利要求书1页 说明书5页 附图2页 (54)发明名称 SiC基板和SiC单晶的制造方法 (57)摘要 14 ‑3 本发明的SiC基板，含有3 ×10 cm 以上且1 15 ‑3 16 ‑3 ×10 cm 以下的钽或铌、以及1×10 cm 以上 20 ‑3 且1 ×10 cm 以下的氮。 A 4 0 1 6 2 0 3 1 1 N C CN 113026104 A 权　利　要　求　书

最新专利

相关专利