发明

光刻胶曝光污染物的处理方法、处理设备及光刻机2025

2024-02-15 07:50:58 发布于四川 0
  • 申请专利号:CN202311807633.9
  • 公开(公告)日:2025-05-02
  • 公开(公告)号:CN117555209A
  • 申请人:浙江大学杭州国际科创中心
摘要:本申请提供一种光刻胶曝光污染物的处理方法、处理设备及光刻机,方法包括:提供真空腔室,真空腔室内设置有待处理的器件,器件上沉积有光刻胶曝光工艺形成的污染物,污染物包括碳污染物和/或氢化金属污染物;向真空腔室内持续通入工艺气体;提供X射线,X射线用于激发工艺气体并使工艺气体产生活性粒子,活性粒子用于与待处理的器件上的碳污染物和/或氢化金属污染物反应,产生挥发性气态化合物;将挥发性气态化合物排出真空腔室。处理设备包括:箱体、真空泵、X射线源以及工艺气体源。本发明为金属氧化物型光刻胶在实际光刻系统的推广应用提出了解决方案,解决了含有机物的金属氧化物型光刻胶的金属性污染与碳沉积的双重污染问题。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117555209 A (43)申请公布日 2024.02.13 (21)申请号 202311807633.9 (22)申请日 2023.12.26 (71)申请人 浙江大学杭州国际科创中心 地址 310000 浙江省杭州市萧山区建设三 路733号 (72)发明人 王依 高金铭 刘天棋  (74)专利代理机构 杭州五洲普华专利代理事务 所(特殊普通合伙) 33260 专利代理师 姚宇吉 (51)Int.Cl. G03F 7/20 (2006.01) 权利要求书2页 说明书5页 附图2页 (54)发明名称 光刻胶曝光污染物的处理方法、处理设备及 光刻机 (57)摘要 本申请提供一种光刻胶曝光污染物的处理 方法、处理设备及光刻机,方法包括:提供真空腔 室,真空腔室内设置有待处理的器件,器件上沉 积有光刻胶曝光工艺形成的污染物,污染物包括 碳污染物和/或氢化金属污染物;向真空腔室内 持续通入工艺气体;提供X射线,X射线用于激发 工艺气体并使工艺气体产生活性粒子,活性粒子 用于与待处理的器件上的碳污染物和/或氢化金 属污染物反应,产生挥发性气态化合物;将挥发 性气态化合物排出真空腔室。处理设备包括:箱 体、真空泵、X射线源以及工艺气体源。本发明为 A 金属氧化物型光刻胶在实际光刻系统的推广应 9 用提出了解决方案,解决了含有机物的金属氧化 0 2 5 物型光刻胶的金属性污染与碳沉积的双重污染 5 5 7 问题。 1

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