基于边缘镀膜处理减少金刚石晶体生长相互干涉的方法2025

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(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117448952 A (43)申请公布日 2024.01.26 (21)申请号 202311430508.0 (22)申请日 2023.10.31 (71)申请人 深圳左文科技有限责任公司 地址 518000 广东省深圳市龙岗区宝龙街 道宝龙社区宝龙三路4号欧帝光学有 限公司D栋厂房102 (72)发明人 廖佳　李再强　王海明　 (74)专利代理机构 深圳市神州联合知识产权代 理事务所(普通合伙) 44324 专利代理师 刘文治 (51)Int.Cl. C30B 25/00 (2006.01) C30B 29/04 (2006.01) C23C 14/04 (2006.01) 权利要求书1页 说明书5页 附图2页 (54)发明名称 基于边缘镀膜处理减少金刚石晶体生长相 互干涉的方法 (57)摘要 本发明提供一种基于边缘镀膜处理减少金 刚石晶体生长相互干涉的方法，属于金刚石生长 领域。包括有以下步骤：S1：选用合适的金刚石晶 种，并将金刚石晶种清洗干净；S2：对金刚石的四 边进行镀膜处理；S3：将晶种放入MPCVD腔体，进 行金刚石毛坯生长；S4 ：对生长结束的毛坯进行 处理，去除边缘的多晶和石墨，成为金刚石单晶。 本发明的有益效果在于，与现有技术相比：本发 明通过在晶种的进行镀膜处理，金刚石晶种的边 缘不再是金刚石，不具有金刚石的晶格和原子， 当金刚石原子落到膜的上表面，只会形成多晶