在衬底表面形成膜的方法、设备及形成的膜

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114657540 A (43)申请公布日 2022.06.24 (21)申请号 202011551936.5 (22)申请日 2020.12.24 (71)申请人 中国科学院微电子研究所 地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 申请人 真芯（北京）半导体有限责任公司 (72)发明人 安重镒　金成基　项金娟　李亭亭　 刘青　 (74)专利代理机构 北京辰权知识产权代理有限 公司 11619 专利代理师 金铭 (51)Int.Cl. C23C 16/455 (2006.01) C23C 16/52 (2006.01) 权利要求书1页 说明书4页 附图2页 (54)发明名称 在衬底表面形成膜的方法、设备及形成的膜 (57)摘要 本申请涉及半导体技术领域，具体涉及一种 在衬底表面形成膜的方法，包括以下步骤：将前 驱体气化成前驱体蒸气；在前驱体蒸气输送至沉 积腔室内的过程中，通过先压缩再膨胀提高前驱 体蒸气的供气流量，以在沉积腔室的衬底表面形 成厚度均匀的膜。提高了前驱体蒸气的供气流 量，这样可以将前驱体蒸气输送到衬底中心以及 沉积腔室的顶部区域，避免衬底中心前驱体蒸气 供应不足，从而在沉积腔室的衬底表面形成厚度 均匀的膜。 A 0 4 5 7 5 6 4 1 1 N C CN 114657540 A 权　利　要　求　书