发明

用于光刻胶晶片的曝光后处理的方法和装置

2023-07-07 07:05:06 发布于四川 0
  • 申请专利号:CN202111180980.4
  • 公开(公告)日:2025-04-15
  • 公开(公告)号:CN113835299A
  • 申请人:应用材料公司
摘要:本文所述的实施方式涉及用于执行浸没场引导的曝光后烘烤工艺的方法和装置。本文所述的装置的实施方式包括腔室主体,所述腔室主体限定处理容积。基座可设置在所述处理容积内,并且第一电极可耦接到所述基座。可移动杆可延伸穿过所述腔室主体且与所述基座相对,并且第二电极可耦接到所述可移动杆。在某些实施方式中,流体容纳环可耦接到所述基座,并且电介质容纳环可耦接到所述第二电极。

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113835299 A (43)申请公布日 2021.12.24 (21)申请号 202111180980.4 (74)专利代理机构 上海专利商标事务所有限公 司 31100 (22)申请日 2016.11.29 代理人 侯颖媖 张鑫 (30)优先权数据 (51)Int.Cl. 62/261,171 2015.11.30 US G03F 7/16 (2006.01) 62/267,531 2015.12.15 US G03F 7/20 (2006.01) 14/989,488 2016.01.06 US G03F 7/26 (2006.01) (62)分案原申请数据 G03F 7/38 (2006.01) 201611076231.6 2016.11.29 G03F 7/40 (2006.01) (71)申

最新专利